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分割型 InGaAs フォトダイオード 3mm

#17-078, 3mm Dia., Four-Element Segmented InGaAs Photodiode

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商品コード #17-078 5-7営業日
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動作温度 (°C):
-40 to +75
アクティブエリアのサイズ (mm):
3 Dia.
保管温度 (°C):
-55 to +125
感度 @ 1310nm (A/W):
0.85 minimum / 0.9 typical
感度 @ 1550nm (A/W):
0.9 minimum / 0.95 typical
立ち上がり / 下がり時間 @ VR=5V (ns):
24 (typical)
容量 @ VR=5V (pF):
225
雑音等価パワー NEP (W/ Hz1/2):
2.50 x 10-14 @ 1550nm
最大逆バイアス電圧 (V):
10
コネクター:
TO-8
暗電流 @ VR=5V (nA):
Maximum: 100 Typical: 2.0
素子間ギャップ (mm):
0.045

法規制対応状況

RoHS 2011/65:
適合証明書:

製品群全体の紹介

分割型 InGaAs フォトダイオードは、大きなアクティブエリアを4分割しています。フォトダイオードの4分割素子は、高い感度均一性と低クロストーク特性のため、高精度nulling もしくはセンタリングアプリケーションでの使用を可能にします。時間や温度に対して安定したこのフォトダイオードは、900 - 1700nmに感度があり、特に1100 - 1620nmで優れた応答性があります。分割型 InGaAs フォトダイオードは、近赤外スペクトルの位置検出、ビームアライメント、およびビームプロファイリングのアプリケーションに最適です。各フォトダイオードは、透過率を向上させるために反射防止膜付きのウインドウを持つ絶縁型のTO-5またはTO-8のCANにパッケージされています。

 
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