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UV高感度4分割型フォトダイオード 1.61mm2

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商品コード #84-613 5-7営業日
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立ち上がり時間 (ns):
10.00
感度 @ 970nm (A/W):
Minimum: 0.08
Typical: 0.1
容量 @ VR=-10V (pF):
40.00
雑音等価パワー NEP (W/ Hz1/2):
1.3 x 10-13 @ -10 V, 970nm
最大逆バイアス電圧 (V):
5.00
暗電流 @ VR=-10V (nA):
Maximum: 500
Typical: 100
素子間ギャップ (mm):
0.127

概要

モデルナンバー:
SPOT-4DUV

物理的および機械的特性

アクティブエリアのサイズ (mm):
1.3 x 1.3
アクティブエリア (mm2):
1.61

ハードウェア & インターフェース接続

コネクター:
41 / TO-5

環境および耐久性的要素

動作温度 (°C):
-10 to 60
保管温度 (°C):
-20 to 70

法規制対応状況

RoHS 2011/65:
適合証明書:

製品群全体の紹介

  • 温度と時間に対し高い安定性
  • 優れた分解能、高精度、超低暗電流
  • 2つか4つに分割した受光面エリア

分割型フォトダイオードは、高度の安定性と高速応答性を要する広範なアプリケーション用にデザインされています。0.1μmより高い位置分解能を有する分割型フォトダイオードは、表面形状特定、位置測定、アライメント、或いはターゲティング用に最適です。分割型フォトダイオードは、受光面を2つか4つのエリアに分割しており、350~1100nmに感応波長帯があります。分割した各領域が、一つの検出器として様々な測定プロファイルを持つことを可能にします。

Filter

How do I use your silicon detectors?

Amplifiers

Breakdown Voltage (BDV)

Capacitance

Dark Current

Detectivity

Fall Time

Noise Equivalent Power (NEP)

Photodiode

Photosensitivity

Photovoltaic Effect

Quantum Efficiency (QE)

Responsivity

RMS Noise

Shunt Resistance

Silicon Detector

Spectral Response

I am trying to get a sample read out from a laser diode on an oscilloscope. I get a good pulse signal if I shine my keychain flashlight on the detector, but a very noisy signal from the diode itself. What could be causing the noise in this system?

Acceptance Angle

Basic Principles of Silicon Detectors

Silicon Detectors are used to transform light energy into an electrical current. Find out more about the different operation modes and terms at Edmund Optics.

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