設計波長 DWL (nm):

13.5

Fused Silica (Corning 7980)

基板面粗さ (Å):

<3 RMS

直径 (mm):

25.40 +0.00/-0.13

焦点距離 EFL (mm):

250.00

曲率半径 (mm):

500.00

コーティング:

Mo/Si Multilayer
Top Layer: Silicon

コーティングスペック:

R_abs >60% @ 13.5nm

コーティングタイプ:

Metal/Semiconductor

曲率半径 R₁ (mm):

500.00

全厚 (mm):

6.35 ±0.25

タイプ:

Spherical Mirror

半値全幅 FWHM (nm):

0.50

法規制対応状況

RoHS 2011/65:

適合

適合証明書:

内容を見る

製品群全体の紹介

スーパーポリッシュ基板上にMo/Si 多層コーティング
13.5nmで最大の反射率を達成
EUVビームの集光アプリケーション用にデザイン
高次高調波発生に向けた狭帯域パスバンド特性

極端紫外 (EUV) 用球面ミラーは、Mo/Si 多層コーティングの採用により、13.5nmで60%以上の反射率を実現します。非偏光のEUVレーザー光源の集光用に向け、5°の入射角度でデザインされています。3Å RMS 未満の表面粗さにより、散乱を最小化します。これは、長波長よりも散乱が多くなるEUV波長では不可欠になります。極端紫外 (EUV) 用球面ミラーは、0.5nmほどの非常に狭いパスバンド特性により、13.5nmの倍波のみに関心がある高次高調波発生 (HHG) 用途での反射を確実にします。EUV用球面ミラーの代表的アプリケーションに、コヒーレント回折イメージング (CDI)、EUVイメージング、EUVナノマシニングがあります。

補足： ミラーの各製造ロットのサンプルテストデータ付きです。

極端紫外 (EUV) 用球面ミラー 25.4 x 250

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