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分割型 InGaAs フォトダイオード

Segmented InGaAs Photodiodes

4分割アクティブエリア素子
高い感度均一性と低クロストーク
位置検出やビームアライメントに最適
分割型フォトダイオードやInGaAs フォトダイオードもラインナップ

分割型 InGaAs フォトダイオードは、大きなアクティブエリアを4分割しています。フォトダイオードの4分割素子は、高い感度均一性と低クロストーク特性のため、高精度nulling もしくはセンタリングアプリケーションでの使用を可能にします。時間や温度に対して安定したこのフォトダイオードは、900 - 1700nmに感度があり、特に1100 - 1620nmで優れた応答性があります。分割型 InGaAs フォトダイオードは、近赤外スペクトルの位置検出、ビームアライメント、およびビームプロファイリングのアプリケーションに最適です。各フォトダイオードは、透過率を向上させるために反射防止膜付きのウインドウを持つ絶縁型のTO-5またはTO-8のCANにパッケージされています。

共通仕様

素子間ギャップ (mm):

0.045

感度 @ 1310nm (A/W):

0.85 minimum / 0.9 typical

感度 @ 1550nm (A/W):

0.9 minimum / 0.95 typical

動作温度 (°C):

-40 to +75

保管温度 (°C):

-55 to +125

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商品一覧

アクティブエリアのサイズ (mm)	コネクター	商品コード	価格 (税別)	カートに入れる

1 Dia. 1 Dia.	TO-5 TO-5	#17-077	39,050 ¥39,050 数量 5+ ¥34,950 見積依頼する	5-7営業日 ×
3 Dia. 3 Dia.	TO-8 TO-8	#17-078	79,500 ¥79,500 数量 5+ ¥70,600 見積依頼する	5-7営業日 ×

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Silicon Detectors are used to transform light energy into an electrical current. Find out more about the different operation modes and terms at Edmund Optics.

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