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Coherent® LightSmyth™ ナノパターン シリコンスタンプ

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  • ナノスケールテクスチャーの溝付き面
  • 溝の周期と深さ別にラインナップ
  • ナノフォトニクス研究用途に最適

Coherent® LightSmyth™ ナノパターン シリコンスタンプは、単結晶シリコン基板上のパターン化されたナノスケールテクスチャーで構成されます。反応性イオンエッチングにより、従来型のグレーティングに似た、台形の断面形状をもつ線形溝が基板面内にエッチングされています。エッチングプロセスによって溝の周期と深さを変えられ、格子の様なより複雑なパターンを作ることができます。Coherent® LightSmyth™ ナノパターン シリコンスタンプは、オプティクスやフォトニクス、生物学、化学、ナノインプリント、マイクロ流体工学の分野におけるナノフォトニクス研究アプリケーションに最適です。

補足: II-VI社は現在Coherent社になっています。

共通仕様

寸法 (mm):
12.50 x 12.50
有効径 CA (mm):
11.50 x 11.50
構造:
RIE Grating
全長 (mm):
12.50
全厚 (mm):
0.68 ±0.05
全幅 (mm):
12.50
コーティング:
Uncoated
基板:
Single Crystal Silicon
表面品質 (キズ-ブツ):
60-40 (within CA)

商品一覧

 Period (nm)   寸法 (mm)   比較する   商品コード   価格 (税別)  カートに入れる
855 12.50 x 12.50
139 12.50 x 12.50

技術情報

SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)

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